Продукція > IXYS > IXA30PG1200DHGLB

IXA30PG1200DHGLB IXYS

Name: IXA30PG1200DHGLB
Brand: IXYS
SKU: 320949-8
Price: 737.94 UAH
Availability: InStock

Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Collector current: 30A
Power dissipation: 150W
Case: SMPD-B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: SMT
Topology: IGBT half-bridge
Type of module: IGBT

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
1+	1044.27 грн
2+	780.67 грн
3+	737.94 грн

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXA30PG1200DHGLB IXYS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV, Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™, Collector current: 30A, Power dissipation: 150W, Case: SMPD-B, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 75A, Semiconductor structure: diode/transistor, Max. off-state voltage: 1.2kV, Electrical mounting: SMT, Topology: IGBT half-bridge, Type of module: IGBT, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXA30PG1200DHGLB за ціною від 885.53 грн до 1253.13 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

IXA30PG1200DHGLB

Виробник : IXYS

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Collector current: 30A
Power dissipation: 150W
Case: SMPD-B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: SMT
Topology: IGBT half-bridge
Type of module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 9 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)