на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 834.2 грн |
| 10+ | 755.77 грн |
| 30+ | 630.01 грн |
| 120+ | 555.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXA27IF1200HJ IXYS
Description: IGBT MOD 1200V 43A ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: ISOPLUS247™, Mounting Type: Through Hole, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, IGBT Type: PT, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 43 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 150 W, Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA.
Інші пропозиції IXA27IF1200HJ за ціною від 443.88 грн до 775.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXA27IF1200HJ | Виробник : IXYS |
 Description: IGBT MOD 1200V 43A ISOPLUS247Packaging: Tube Package / Case: ISOPLUS247™ Mounting Type: Through Hole Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOPLUS247™ IGBT Type: PT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 43 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 150 W Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA |
на замовлення 2130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
IXA27IF1200HJ | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 27A; 150W; PLUS247™ Mounting: THT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 27A Pulsed collector current: 75A Turn-on time: 110ns Turn-off time: 350ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 150W Kind of package: tube Gate charge: 76nC Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™ Case: PLUS247™ Collector-emitter voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IXA27IF1200HJ | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 27A; 150W; PLUS247™ Mounting: THT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 27A Pulsed collector current: 75A Turn-on time: 110ns Turn-off time: 350ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 150W Kind of package: tube Gate charge: 76nC Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™ Case: PLUS247™ Collector-emitter voltage: 1.2kV |
товар відсутній |