IXA20IF1200HB IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 22A; 165W; TO247-3
Mounting: THT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 22A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 165W
Kind of package: tube
Gate charge: 47nC
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXA20IF1200HB IXYS
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 22A; 165W; TO247-3, Mounting: THT, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 22A, Pulsed collector current: 45A, Turn-on time: 110ns, Turn-off time: 350ns, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 165W, Kind of package: tube, Gate charge: 47nC, Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™, Case: TO247-3, Collector-emitter voltage: 1.2kV, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXA20IF1200HB
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
.jpg "IXA20IF1200HB") |
IXA20IF1200HB | Виробник : IXYS |
Description: IGBT 1200V 38A 165W TO247 |
товар відсутній |
|
 |
IXA20IF1200HB | Виробник : IXYS |
IGBT Transistors XPT IGBT Copack |
товар відсутній |
|
|
|
IXA20IF1200HB | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 22A; 165W; TO247-3 Mounting: THT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 22A Pulsed collector current: 45A Turn-on time: 110ns Turn-off time: 350ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 165W Kind of package: tube Gate charge: 47nC Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™ Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.2kV |
товар відсутній |