![IXA20I1200PB IXA20I1200PB](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5545/238%7ETO220-3-TO220AB%7E%7E3.jpg)
IXA20I1200PB IXYS
![littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixa20i1200pb_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IGBT PT 1200V 38A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Switching Energy: 1.65mJ (on), 1.7mJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V
Gate Charge: 47 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 165 W
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 363.37 грн |
50+ | 277.26 грн |
100+ | 237.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXA20I1200PB IXYS
Description: IGBT PT 1200V 38A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-220-3, IGBT Type: PT, Switching Energy: 1.65mJ (on), 1.7mJ (off), Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V, Gate Charge: 47 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 38 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 165 W.
Інші пропозиції IXA20I1200PB за ціною від 307.34 грн до 631.75 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXA20I1200PB | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 411 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXA20I1200PB | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IXA20I1200PB | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 22A; 165W; TO220-3 Mounting: THT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 22A Pulsed collector current: 45A Turn-on time: 110ns Turn-off time: 350ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 165W Kind of package: tube Gate charge: 47nC Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™ Case: TO220-3 Collector-emitter voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IXA20I1200PB | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 22A; 165W; TO220-3 Mounting: THT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 22A Pulsed collector current: 45A Turn-on time: 110ns Turn-off time: 350ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 165W Kind of package: tube Gate charge: 47nC Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™ Case: TO220-3 Collector-emitter voltage: 1.2kV |
товар відсутній |