![IXA17IF1200HJ IXA17IF1200HJ](https://www.mouser.com/images/ixys/lrg/isoplus247.jpg)
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 734.2 грн |
10+ | 653.18 грн |
120+ | 470.42 грн |
270+ | 460.66 грн |
510+ | 401.42 грн |
1020+ | 351.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXA17IF1200HJ IXYS
Description: IGBT 1200V 28A 100W TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 350 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, IGBT Type: PT, Switching Energy: 1.55mJ (on), 1.7mJ (off), Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V, Gate Charge: 47 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 28 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 100 W.
Інші пропозиції IXA17IF1200HJ
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IXA17IF1200HJ Код товару: 132443 |
![]() |
товар відсутній
|
|||
![]() |
IXA17IF1200HJ | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 18A; 100W; PLUS247™ Mounting: THT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 18A Pulsed collector current: 45A Turn-on time: 110ns Turn-off time: 350ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 100W Kind of package: tube Gate charge: 47nC Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™ Case: PLUS247™ Collector-emitter voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 300 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
IXA17IF1200HJ | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IXA17IF1200HJ | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 350 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Supplier Device Package: ISOPLUS247™ IGBT Type: PT Switching Energy: 1.55mJ (on), 1.7mJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V Gate Charge: 47 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 28 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 100 W |
товар відсутній |
|
![]() |
IXA17IF1200HJ | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 18A; 100W; PLUS247™ Mounting: THT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 18A Pulsed collector current: 45A Turn-on time: 110ns Turn-off time: 350ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 100W Kind of package: tube Gate charge: 47nC Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™ Case: PLUS247™ Collector-emitter voltage: 1.2kV |
товар відсутній |