![ISZ330N12LM6ATMA1 ISZ330N12LM6ATMA1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5007/MFG_ISZ330N12LM6ATMA1.jpg)
ISZ330N12LM6ATMA1 Infineon Technologies
![Infineon-ISZ330N12LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185c27a471e5375](/images/adobe-acrobat.png)
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 60 V
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 100.36 грн |
10+ | 79 грн |
100+ | 61.46 грн |
500+ | 48.89 грн |
1000+ | 39.82 грн |
2000+ | 37.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISZ330N12LM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 43W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 60 V.
Інші пропозиції ISZ330N12LM6ATMA1 за ціною від 36.48 грн до 109.06 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ISZ330N12LM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3380 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
ISZ330N12LM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||
![]() |
ISZ330N12LM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 60 V |
товар відсутній |