ISZ0901NLSATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: 25V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 12 V
на замовлення 3565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1113+ | 19.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISZ0901NLSATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISZ0901NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.005 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 26W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 26W, Bauform - Transistor: TSDSON-FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції ISZ0901NLSATMA1 за ціною від 31.56 грн до 68.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ISZ0901NLSATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - ISZ0901NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.005 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 26W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 26W Bauform - Transistor: TSDSON-FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 4400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
ISZ0901NLSATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - ISZ0901NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.005 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 26W Bauform - Transistor: TSDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 4400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
ISZ0901NLSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH <= 40V |
на замовлення 3881 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
ISZ0901NLSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: 25V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, P Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 12 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
ISZ0901NLSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: 25V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, P Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 12 V |
товар відсутній |