ISP650P06NMXTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 30.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISP650P06NMXTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISP650P06NMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.7 A, 0.054 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 4.2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції ISP650P06NMXTSA1 за ціною від 38.05 грн до 124.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ISP650P06NMXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 60V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ISP650P06NMXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 3.7A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 30 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ISP650P06NMXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ISP650P06NMXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 74000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ISP650P06NMXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 3.7A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 30 V |
на замовлення 1471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ISP650P06NMXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS |
на замовлення 34846 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ISP650P06NMXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ISP650P06NMXTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - ISP650P06NMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.7 A, 0.054 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ISP650P06NMXTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - ISP650P06NMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.7 A, 0.054 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 4.2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
ISP650P06NMXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
ISP650P06NMXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |