ISP25DP06LMSATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - ISP25DP06LMSATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.177 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.177ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 29.2 грн |
| 500+ | 22.7 грн |
| 1000+ | 15.87 грн |
| 5000+ | 14.58 грн |
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Технічний опис ISP25DP06LMSATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - ISP25DP06LMSATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.177 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe OptiMOS, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.177ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції ISP25DP06LMSATMA1 за ціною від 14.58 грн до 67.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
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ISP25DP06LMSATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - ISP25DP06LMSATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.177 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe OptiMOS productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 12280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ISP25DP06LMSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS |
на замовлення 3001 шт: термін постачання 357-366 дні (днів) |
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