ISO5452DW

ISO5452DW Texas Instruments


suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fiso5452 Виробник: Texas Instruments
Driver 5A 2-OUT Low Side Inv/Non-Inv 16-Pin SOIC Tube
на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+262.81 грн
Мінімальне замовлення: 40
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISO5452DW Texas Instruments

Category: MOSFET/IGBT drivers, Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO16-W; -5÷2.5A, Protection: undervoltage UVP, Operating temperature: -40...125°C, Insulation voltage: 5.7kV, Input voltage: 2.25...5.5V, Integrated circuit features: galvanically isolated, Kind of package: tube, Mounting: SMD, Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side, Case: SO16-W, Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge, Supply voltage: 15...30V DC, Output current: -5...2.5A, Type of integrated circuit: driver, Impulse rise time: 35ns, Pulse fall time: 37ns, Number of channels: 2, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції ISO5452DW за ціною від 215.07 грн до 460.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ISO5452DW ISO5452DW Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fiso5452 Driver 5A 2-OUT Low Side Inv/Non-Inv 16-Pin SOIC Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
46+265.27 грн
Мінімальне замовлення: 46
ISO5452DW ISO5452DW Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fiso5452 Description: DGTL ISO 5.7KV 1CH GT DVR 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 2.7A, 5.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 1.5A, 3.4A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, UR, VDE
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 18ns, 20ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 110ns, 110ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+430.33 грн
10+ 373.98 грн
40+ 356.54 грн
120+ 290.53 грн
280+ 277.47 грн
520+ 252.99 грн
1000+ 216.73 грн
ISO5452DW ISO5452DW Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fiso5452 Galvanically Isolated Gate Drivers 5.7kVrms, 2.5A/5A single-channel isolated gate driver w/ split output, STO & protection features 16-SOIC -40 to 125
на замовлення 4948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+460.84 грн
10+ 409.8 грн
25+ 279.03 грн
120+ 258.65 грн
280+ 252.33 грн
520+ 241.78 грн
1000+ 215.07 грн
ISO5452DW ISO5452DW Виробник : Texas Instruments getliterature.pdf Driver 5A 2-OUT Low Side Inv/Non-Inv 16-Pin SOIC Tube
товар відсутній
ISO5452DW ISO5452DW Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fiso5452 Driver 5A 2-OUT Low Side Inv/Non-Inv 16-Pin SOIC Tube
товар відсутній
ISO5452DW ISO5452DW Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fiso5452 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO16-W; -5÷2.5A
Protection: undervoltage UVP
Operating temperature: -40...125°C
Insulation voltage: 5.7kV
Input voltage: 2.25...5.5V
Integrated circuit features: galvanically isolated
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Supply voltage: 15...30V DC
Output current: -5...2.5A
Type of integrated circuit: driver
Impulse rise time: 35ns
Pulse fall time: 37ns
Number of channels: 2
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
ISO5452DW ISO5452DW Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fiso5452 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO16-W; -5÷2.5A
Protection: undervoltage UVP
Operating temperature: -40...125°C
Insulation voltage: 5.7kV
Input voltage: 2.25...5.5V
Integrated circuit features: galvanically isolated
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Supply voltage: 15...30V DC
Output current: -5...2.5A
Type of integrated circuit: driver
Impulse rise time: 35ns
Pulse fall time: 37ns
Number of channels: 2
товар відсутній