на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 320.62 грн |
| 10+ | 265.12 грн |
| 25+ | 217.89 грн |
| 100+ | 186.26 грн |
| 250+ | 176.42 грн |
| 500+ | 165.87 грн |
| 1000+ | 141.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISG0614N06NM5HSCATMA1 Infineon Technologies
Description: ISG0614N06NM5HSCATMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 10-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 233A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 86µA, Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1.
Інші пропозиції ISG0614N06NM5HSCATMA1 за ціною від 137.59 грн до 294.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ISG0614N06NM5HSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: ISG0614N06NM5HSCATMA1Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 233A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 86µA Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| ISG0614N06NM5HSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: ISG0614N06NM5HSCATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 233A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 86µA Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| ISG0614N06NM5HSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005575184 |
товар відсутній |