Продукція > INFINEON > ISC0803NLSATMA1
ISC0803NLSATMA1

ISC0803NLSATMA1 INFINEON

3437298.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC0803NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 37 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 43W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+57.72 грн
500+ 45.39 грн
1000+ 32.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC0803NLSATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - ISC0803NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 37 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 43W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції ISC0803NLSATMA1 за ціною від 32.17 грн до 119.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ISC0803NLSATMA1 ISC0803NLSATMA1 Виробник : INFINEON 3437298.pdf Description: INFINEON - ISC0803NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 37 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+103.29 грн
10+ 79.63 грн
100+ 57.72 грн
500+ 45.39 грн
1000+ 32.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
ISC0803NLSATMA1 ISC0803NLSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_ISC0803NLS_DataSheet_v02_02_EN-2581255.pdf MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.72 грн
10+ 106.69 грн
100+ 72.39 грн
500+ 59.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
ISC0803NLSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISC0803NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd62c8076d93 Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
товар відсутній
ISC0803NLSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISC0803NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd62c8076d93 Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
товар відсутній