ISC073N12LM6ATMA1

ISC073N12LM6ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-ISC073N12LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185c27a53ca5378 Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 60 V
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+91.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC073N12LM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISC073N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 86 A, 0.0073 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 86A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції ISC073N12LM6ATMA1 за ціною від 80.42 грн до 218.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ISC073N12LM6ATMA1 ISC073N12LM6ATMA1 Виробник : INFINEON 4098639.pdf Description: INFINEON - ISC073N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 86 A, 0.0073 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+128.42 грн
500+ 101.13 грн
1000+ 91.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
ISC073N12LM6ATMA1 ISC073N12LM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISC073N12LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185c27a53ca5378 Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 60 V
на замовлення 9066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+195.15 грн
10+ 158.27 грн
100+ 128.05 грн
500+ 106.81 грн
1000+ 91.46 грн
2000+ 86.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
ISC073N12LM6ATMA1 ISC073N12LM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_ISC073N12LM6_DataSheet_v02_00_EN-3084374.pdf MOSFETs N
на замовлення 5575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+200.33 грн
10+ 164.14 грн
100+ 113.75 грн
500+ 96.36 грн
1000+ 85.49 грн
2500+ 84.05 грн
5000+ 80.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
ISC073N12LM6ATMA1 ISC073N12LM6ATMA1 Виробник : INFINEON 4098639.pdf Description: INFINEON - ISC073N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 86 A, 0.0073 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+218.64 грн
10+ 160.93 грн
100+ 128.42 грн
500+ 101.13 грн
1000+ 91.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
ISC073N12LM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-isc073n12lm6-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній