Продукція > INFINEON > ISC036N04NM5ATMA1
ISC036N04NM5ATMA1

ISC036N04NM5ATMA1 INFINEON


3154699.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC036N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 0.0027 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 63W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 844 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+54.41 грн
500+ 42.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC036N04NM5ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - ISC036N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 0.0027 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 98A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 63W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: TDSON-FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції ISC036N04NM5ATMA1 за ціною від 30.04 грн до 96.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ISC036N04NM5ATMA1 ISC036N04NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISC036N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e48119000d Description: 40V 3.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 4358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.93 грн
10+ 65.41 грн
100+ 50.86 грн
500+ 40.46 грн
1000+ 32.96 грн
2000+ 31.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
ISC036N04NM5ATMA1 ISC036N04NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_ISC036N04NM5_DataSheet_v02_01_EN-1825681.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+88.62 грн
10+ 70.53 грн
100+ 48.51 грн
500+ 41.12 грн
1000+ 31.57 грн
2500+ 31.5 грн
5000+ 30.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
ISC036N04NM5ATMA1 ISC036N04NM5ATMA1 Виробник : INFINEON 3154699.pdf Description: INFINEON - ISC036N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 0.0027 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+96.16 грн
11+ 74.9 грн
100+ 54.41 грн
500+ 42.83 грн
Мінімальне замовлення: 9
ISC036N04NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-isc036n04nm5-datasheet-v02_01-en.pdf N Channel Power Mosfet
товар відсутній
ISC036N04NM5ATMA1 ISC036N04NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISC036N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e48119000d Description: 40V 3.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
товар відсутній