Продукція > INFINEON > ISC026N03L5SATMA1
ISC026N03L5SATMA1

ISC026N03L5SATMA1 INFINEON

3154697.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC026N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0022 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+41.23 грн
500+ 31.96 грн
1000+ 22.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC026N03L5SATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - ISC026N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0022 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 48W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції ISC026N03L5SATMA1 за ціною від 22.01 грн до 77.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ISC026N03L5SATMA1 ISC026N03L5SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_ISC026N03L5S_DataSheet_v02_00_EN-3363673.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 4841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.19 грн
10+ 57.27 грн
100+ 36.82 грн
500+ 30.76 грн
1000+ 23.35 грн
2500+ 23.28 грн
5000+ 22.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
ISC026N03L5SATMA1 ISC026N03L5SATMA1 Виробник : INFINEON 3154697.pdf Description: INFINEON - ISC026N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0022 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+77.39 грн
14+ 60.85 грн
100+ 41.23 грн
500+ 31.96 грн
1000+ 22.38 грн
Мінімальне замовлення: 11
ISC026N03L5SATMA1 ISC026N03L5SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISC026N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8afe9860988 Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
ISC026N03L5SATMA1 ISC026N03L5SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISC026N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8afe9860988 Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 21428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
ISC026N03L5SATMA1 Виробник : Infineon Infineon-ISC026N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8afe9860988
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)