ISC015N06NM5LF2ATMA1 Infineon Technologies

---

Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 275A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.45V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 30 V

на замовлення 4645 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	246.34 грн
10+	213.27 грн
25+	201.6 грн
100+	163.97 грн
250+	155.56 грн
500+	139.58 грн
1000+	115.79 грн
2500+	110 грн

Мінімальне замовлення: 2

купити

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис ISC015N06NM5LF2ATMA1 Infineon Technologies

Інші пропозиції ISC015N06NM5LF2ATMA1 за ціною від 118.08 грн до 267.32 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна без ПДВ
	ISC015N06NM5LF2ATMA1	Виробник : Infineon Technologies	MOSFETs TRENCH 40<-<100V	на замовлення 9410 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 2+ 267.32 грн 10+  220.66 грн 25+  182.04 грн 100+  155.33 грн 250+  146.9 грн 500+  138.46 грн 1000+  118.08 грн Мінімальне замовлення: 2 купити
	ISC015N06NM5LF2ATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 275A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.45V @ 120µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 30 V	товар відсутній	купити