![IS66WVE4M16EBLL-70BLI IS66WVE4M16EBLL-70BLI](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2544/706%3B48TFBGA-1.2-6x8%3B%3B48.jpg)
IS66WVE4M16EBLL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
![66-67WVE4M16EALL-BLL-CLL.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 4M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 334.72 грн |
10+ | 292.63 грн |
25+ | 286.32 грн |
40+ | 267.23 грн |
80+ | 239.61 грн |
230+ | 238.74 грн |
480+ | 226.25 грн |
960+ | 215.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS66WVE4M16EBLL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS66WVE4M16EBLL-70BLI - SRAM, Pseudo-SRAM, 64 Mbit, 4M x 16 Bit, TFBGA, 48 Pin(s), 2.7 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 64Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: -, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 48Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Pseudo-SRAM, Speicherkonfiguration: 4M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IS66WVE4M16EBLL-70BLI за ціною від 205.59 грн до 379.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IS66WVE4M16EBLL-70BLI | Виробник : ISSI |
![]() |
на замовлення 7854 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IS66WVE4M16EBLL-70BLI | Виробник : INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) |
![]() tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 64Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Pseudo-SRAM Speicherkonfiguration: 4M x 16 Bit SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IS66WVE4M16EBLL-70BLI | Виробник : ISSI |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
IS66WVE4M16EBLL-70BLI | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 64MbSRAM; 4Mx16bit; 2.7÷3.6V; 70ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: PSRAM Memory: 64Mb SRAM Memory organisation: 4Mx16bit Case: TFBGA48 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Kind of package: in-tray; tube Access time: 70ns кількість в упаковці: 480 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IS66WVE4M16EBLL-70BLI | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 64MbSRAM; 4Mx16bit; 2.7÷3.6V; 70ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: PSRAM Memory: 64Mb SRAM Memory organisation: 4Mx16bit Case: TFBGA48 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Kind of package: in-tray; tube Access time: 70ns |
товар відсутній |