IS66WVE4M16EALL-70BLI-TR ISSI
![66_67WVE4M16EALL_BLL_CLL-462616.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 442.8 грн |
10+ | 398.48 грн |
25+ | 339.48 грн |
50+ | 337.37 грн |
100+ | 302.93 грн |
250+ | 301.53 грн |
500+ | 282.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS66WVE4M16EALL-70BLI-TR ISSI
Description: IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 48TFBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 48-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 64Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V, Technology: PSRAM (Pseudo SRAM), Memory Format: PSRAM, Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 70ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 70 ns, Memory Organization: 4M x 16.
Інші пропозиції IS66WVE4M16EALL-70BLI-TR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IS66WVE4M16EALL-70BLI-TR | Виробник : ISSI |
![]() |
товар відсутній |
|
IS66WVE4M16EALL-70BLI-TR | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 64MbSRAM; 4Mx16bit; 1.7÷1.95V; 70ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: PSRAM Memory: 64Mb SRAM Memory organisation: 4Mx16bit Case: TFBGA48 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Operating voltage: 1.7...1.95V Kind of package: reel; tape Access time: 70ns кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||
![]() |
IS66WVE4M16EALL-70BLI-TR | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Memory Format: PSRAM Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 4M x 16 |
товар відсутній |
|
IS66WVE4M16EALL-70BLI-TR | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 64MbSRAM; 4Mx16bit; 1.7÷1.95V; 70ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: PSRAM Memory: 64Mb SRAM Memory organisation: 4Mx16bit Case: TFBGA48 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Operating voltage: 1.7...1.95V Kind of package: reel; tape Access time: 70ns |
товар відсутній |