Технічний опис IS66WVE1M16EBLL-70BLI ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 70ns; TFBGA48, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: PSRAM, Memory: 16Mb SRAM, Memory organisation: 1Mx16bit, Case: TFBGA48, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of interface: parallel, Operating voltage: 2.7...3.6V, Kind of package: in-tray; tube, Access time: 70ns, кількість в упаковці: 480 шт.
Інші пропозиції IS66WVE1M16EBLL-70BLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IS66WVE1M16EBLL-70BLI | Виробник : ISSI |
 Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 70ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: PSRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 1Mx16bit Case: TFBGA48 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Kind of package: in-tray; tube Access time: 70ns кількість в упаковці: 480 шт |
товар відсутній |
||
%20Renders/706;48TFBGA-1.2-6x8;;48.jpg "IS66WVE1M16EBLL-70BLI") |
IS66WVE1M16EBLL-70BLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA |
товар відсутній |
|
 |
IS66WVE1M16EBLL-70BLI | Виробник : ISSI |
SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V~3.6V, VDDQ 2.7V~3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS |
товар відсутній |
|
| IS66WVE1M16EBLL-70BLI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 70ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: PSRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 1Mx16bit Case: TFBGA48 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Kind of package: in-tray; tube Access time: 70ns |
товар відсутній |