на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 376.38 грн |
| 10+ | 337.86 грн |
| 100+ | 234.05 грн |
| 270+ | 233.35 грн |
| 540+ | 229.83 грн |
| 1080+ | 227.73 грн |
| 2565+ | 224.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS64WV6416EEBLL-10CTLA3 ISSI
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II, Packaging: Tube, Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 1Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA), Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 44-TSOP II, Write Cycle Time - Word, Page: 10ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 10 ns, Memory Organization: 64K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції IS64WV6416EEBLL-10CTLA3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS64WV6416EEBLL-10CTLA3 | Виробник : ISSI |
 SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 1M-bit 64K x 16 10ns Automotive 44-Pin TSOP-II |
товар відсутній |
|
| IS64WV6416EEBLL-10CTLA3 | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 1Mb SRAM Memory organisation: 64kx16bit Access time: 10ns Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: in-tray; tube Operating voltage: 2.4...3.6V кількість в упаковці: 135 шт |
товар відсутній |
||
 |
IS64WV6416EEBLL-10CTLA3 | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tube Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 64K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|
| IS64WV6416EEBLL-10CTLA3 | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 1Mb SRAM Memory organisation: 64kx16bit Access time: 10ns Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: in-tray; tube Operating voltage: 2.4...3.6V |
товар відсутній |