на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1234.97 грн |
| 10+ | 1127.34 грн |
| 25+ | 967.25 грн |
| 96+ | 836.11 грн |
| 288+ | 818.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS64WV51216EEBLL-10CT2LA3 ISSI
Description: 8Mb,High-Speed/Low Power,Async w, Packaging: Tray, Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 8Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA), Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 48-TSOP I, Grade: Automotive, Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 10ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 10 ns, Memory Organization: 512K x 16, Qualification: AEC-Q100.
Інші пропозиції IS64WV51216EEBLL-10CT2LA3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS64WV51216EEBLL-10CT2LA3 | Виробник : ISSI |
 SRAM Chip Async Dual 2.5V/3.3V 16M-bit 512K x 16 10ns Automotive AEC-Q100 48-Pin TSOP-I |
товар відсутній |
|
| IS64WV51216EEBLL-10CT2LA3 | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: 8Mb,High-Speed/Low Power,Async w Packaging: Tray Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-TSOP I Grade: Automotive Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 512K x 16 Qualification: AEC-Q100 |
товар відсутній |