Продукція > ISSI > IS64WV25616EDBLL-10CTLA3
IS64WV25616EDBLL-10CTLA3

IS64WV25616EDBLL-10CTLA3 ISSI


64WV25616EDBLL-258542.pdf Виробник: ISSI
SRAM 4Mb, 2.4v-3.6v, 10ns 256Kx16 Async SRAM
на замовлення 122 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+662.65 грн
10+ 601.89 грн
25+ 512.23 грн
100+ 457.87 грн
270+ 443.93 грн
540+ 421.63 грн
1080+ 407.69 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IS64WV25616EDBLL-10CTLA3 ISSI

Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II, Packaging: Tray, Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA), Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 44-TSOP II, Write Cycle Time - Word, Page: 10ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 10 ns, Memory Organization: 256K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції IS64WV25616EDBLL-10CTLA3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IS64WV25616EDBLL-10CTLA3 IS64WV25616EDBLL-10CTLA3 Виробник : ISSI 38256722314827561-64wv25616edbll.pdf SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns Automotive 44-Pin TSOP-II
товар відсутній
IS64WV25616EDBLL-10CTLA3 Виробник : ISSI 61-64WV25616EDBLL.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 256kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Memory capacity: 4Mb
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray; tube
Operating voltage: 2.4...3.6V
товар відсутній
IS64WV25616EDBLL-10CTLA3 IS64WV25616EDBLL-10CTLA3 Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 61-64WV25616EDBLL.pdf Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
IS64WV25616EDBLL-10CTLA3 Виробник : ISSI 61-64WV25616EDBLL.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 256kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Memory capacity: 4Mb
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray; tube
Operating voltage: 2.4...3.6V
товар відсутній