IS62WV102416ALL-35MLI ISSI
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1910.27 грн |
210+ | 1517.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS62WV102416ALL-35MLI ISSI
Description: IC SRAM 16MBIT PAR 48MINIBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 48-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 16Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 1.65V ~ 2.2V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 48-miniBGA (9x11), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 35ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 35 ns, Memory Organization: 1M x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції IS62WV102416ALL-35MLI за ціною від 1633.72 грн до 2057.22 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IS62WV102416ALL-35MLI | Виробник : ISSI | SRAM Chip Async Single 1.8V 16M-bit 1M x 16 35ns 48-Pin TFBGA |
на замовлення 841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
IS62WV102416ALL-35MLI | Виробник : ISSI | SRAM Chip Async Single 1.8V 16M-bit 1M x 16 35ns 48-Pin TFBGA |
товар відсутній |
||||||||
IS62WV102416ALL-35MLI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 1.65÷2.2V; 35ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 1Mx16bit Access time: 35ns Case: TFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Operating voltage: 1.65...2.2V кількість в упаковці: 210 шт |
товар відсутній |
||||||||
IS62WV102416ALL-35MLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC SRAM 16MBIT PAR 48MINIBGA Packaging: Tray Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 2.2V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-miniBGA (9x11) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 35ns Memory Interface: Parallel Access Time: 35 ns Memory Organization: 1M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
||||||||
IS62WV102416ALL-35MLI | Виробник : ISSI | SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS |
товар відсутній |
||||||||
IS62WV102416ALL-35MLI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 1.65÷2.2V; 35ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 1Mx16bit Access time: 35ns Case: TFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Operating voltage: 1.65...2.2V |
товар відсутній |