IS61WV6416EEBLL-10TLI ISSI
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 135+ | 118.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS61WV6416EEBLL-10TLI ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS61WV6416EEBLL-10TLI - SRAM, Asynchron, 1 Mbit, 64K x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.4 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Speicherdichte: 1Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 3.3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.4V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 44Pin(s), productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IS61WV6416EEBLL-10TLI за ціною від 140.05 грн до 272.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IS61WV6416EEBLL-10TLI | Виробник : INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) |
 Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS61WV6416EEBLL-10TLI - SRAM, Asynchron, 1 Mbit, 64K x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.4 VtariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherdichte: 1Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IS61WV6416EEBLL-10TLI | Виробник : ISSI |
SRAM 1M, 2.4V-3.6V, 10ns LP Async SRAM |
на замовлення 104 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||
| IS61WV6416EEBLL-10TLI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 1Mb SRAM Memory organisation: 64kx16bit Access time: 10ns Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 2.4...3.6V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
 |
IS61WV6416EEBLL-10TLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP2 |
товар відсутній |
|||||||||||||
| IS61WV6416EEBLL-10TLI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 1Mb SRAM Memory organisation: 64kx16bit Access time: 10ns Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 2.4...3.6V |
товар відсутній |