IS61WV6416EEBLL-10TLI-TR ISSI
Виробник: ISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 64kx16bit
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.4...3.6V
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS61WV6416EEBLL-10TLI-TR ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory: 1Mb SRAM, Memory organisation: 64kx16bit, Access time: 10ns, Case: TSOP44 II, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Operating voltage: 2.4...3.6V, кількість в упаковці: 1000 шт.
Інші пропозиції IS61WV6416EEBLL-10TLI-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS61WV6416EEBLL-10TLI-TR | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP2 |
товар відсутній |
|
 |
IS61WV6416EEBLL-10TLI-TR | Виробник : ISSI |
SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,64K x 16,2.4V-3.6V (10ns),44 Pin TSOP II, RoHS |
товар відсутній |
|
| IS61WV6416EEBLL-10TLI-TR | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 1Mb SRAM Memory organisation: 64kx16bit Access time: 10ns Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 2.4...3.6V |
товар відсутній |