Продукція > ISSI > IS61WV51216EEBLL-10TLI-TR
IS61WV51216EEBLL-10TLI-TR

IS61WV51216EEBLL-10TLI-TR ISSI


61_64WV51216EEALL_BLL-1275459.pdf Виробник: ISSI
SRAM 8M 8,10ns 2.4-3.6V 512Kx16 LP Asyn SRAM
на замовлення 4484 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+675.68 грн
10+ 612.68 грн
25+ 522.22 грн
100+ 466.7 грн
250+ 452.64 грн
500+ 430.15 грн
1000+ 386.57 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IS61WV51216EEBLL-10TLI-TR ISSI

Description: 8Mb,High-Speed/Low Power,Async w, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 8Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 44-TSOP II, Write Cycle Time - Word, Page: 10ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 10 ns, Memory Organization: 512K x 16.

Інші пропозиції IS61WV51216EEBLL-10TLI-TR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IS61WV51216EEBLL-10TLI-TR Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 61-64WV51216EEALL-BLL.pdf Description: 8Mb,High-Speed/Low Power,Async w
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 512K x 16
товар відсутній