Технічний опис IS61WV51216EDBLL-8TLI-TR ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.4÷3.6V; 8ns; TSOP44 II, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory: 8Mb SRAM, Memory organisation: 512kx16bit, Access time: 8ns, Case: TSOP44 II, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Operating voltage: 2.4...3.6V, кількість в упаковці: 1000 шт.
Інші пропозиції IS61WV51216EDBLL-8TLI-TR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IS61WV51216EDBLL-8TLI-TR | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.4÷3.6V; 8ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 512kx16bit Access time: 8ns Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 2.4...3.6V кількість в упаковці: 1000 шт |
товар відсутній |
||
|
IS61WV51216EDBLL-8TLI-TR | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IS61WV51216EDBLL-8TLI-TR | Виробник : ISSI |
![]() |
товар відсутній |
|
IS61WV51216EDBLL-8TLI-TR | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.4÷3.6V; 8ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 512kx16bit Access time: 8ns Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 2.4...3.6V |
товар відсутній |