IS61WV51216EDBLL-10BLI-TR ISSI
Виробник: ISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
Access time: 10ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Operating voltage: 2.4...3.6V
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS61WV51216EDBLL-10BLI-TR ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA48, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory: 8Mb SRAM, Memory organisation: 512kx16bit, Access time: 10ns, Case: TFBGA48, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: reel; tape, Operating voltage: 2.4...3.6V, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції IS61WV51216EDBLL-10BLI-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
%20Renders/706;48TFBGA-1.2-6x8;;48.jpg "IS61WV51216EDBLL-10BLI-TR") |
IS61WV51216EDBLL-10BLI-TR | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA |
товар відсутній |
|
 |
IS61WV51216EDBLL-10BLI-TR | Виробник : ISSI |
SRAM 8M, 2.4-3.6V, 10ns 512Kx16 Asych SRAM |
товар відсутній |
|
| IS61WV51216EDBLL-10BLI-TR | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 512kx16bit Access time: 10ns Case: TFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Operating voltage: 2.4...3.6V |
товар відсутній |