![IS61WV51216BLL-10MLI IS61WV51216BLL-10MLI](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2544/706%3B48TFBGA-1.2-6x8%3B%3B48.jpg)
IS61WV51216BLL-10MLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
![61-64WV51216.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-miniBGA (9x11)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1126.29 грн |
10+ | 1003.92 грн |
25+ | 990.28 грн |
40+ | 917.66 грн |
210+ | 804.2 грн |
420+ | 769.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS61WV51216BLL-10MLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS61WV51216BLL-10MLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, BGA, 48 Pin(s), 2.4 V, tariffCode: 85423290, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: BGA, Speicherdichte: 8Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.b, Versorgungsspannung, nom.: -, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.4V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 48Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IS61WV51216BLL-10MLI за ціною від 763.82 грн до 1187.89 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IS61WV51216BLL-10MLI | Виробник : INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 8Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.b Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IS61WV51216BLL-10MLI | Виробник : ISSI |
![]() |
на замовлення 701 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IS61WV51216BLL-10MLI |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
IS61WV51216BLL-10MLI | Виробник : ISSI |
![]() |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IS61WV51216BLL-10MLI | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 512kx16bit Access time: 10ns Case: TFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Operating voltage: 2.4...3.6V кількість в упаковці: 210 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IS61WV51216BLL-10MLI | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 512kx16bit Access time: 10ns Case: TFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Operating voltage: 2.4...3.6V |
товар відсутній |