Технічний опис IS61WV25632BLL-10BLI-TR ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 256kx32bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA90, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory: 8Mb SRAM, Memory organisation: 256kx32bit, Access time: 10ns, Case: TFBGA90, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: reel; tape, Operating voltage: 2.4...3.6V, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції IS61WV25632BLL-10BLI-TR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IS61WV25632BLL-10BLI-TR | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 256kx32bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA90 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 256kx32bit Access time: 10ns Case: TFBGA90 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Operating voltage: 2.4...3.6V кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||
IS61WV25632BLL-10BLI-TR | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 8MBIT 10NS 90FBGA |
товар відсутній |
||
IS61WV25632BLL-10BLI-TR | Виробник : ISSI | SRAM 8Mb 256Kx32 10ns Async SRAM |
товар відсутній |
||
IS61WV25632BLL-10BLI-TR | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 256kx32bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA90 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 256kx32bit Access time: 10ns Case: TFBGA90 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Operating voltage: 2.4...3.6V |
товар відсутній |