Продукція > ISSI > IS61WV25616FALL-10TLI
IS61WV25616FALL-10TLI

IS61WV25616FALL-10TLI ISSI


61_64WV25616FALL_BLL-1493709.pdf Виробник: ISSI
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,1.65V-2.2V, 10ns, 44 Pin TSOP II, RoHS
на замовлення 51 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+305.71 грн
10+ 273.29 грн
100+ 180.5 грн
270+ 179.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IS61WV25616FALL-10TLI ISSI

Description: 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,2, Packaging: Bulk, Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 1.65V ~ 2.2V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 44-TSOP II, Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 10ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 10 ns, Memory Organization: 256K x 16.

Інші пропозиції IS61WV25616FALL-10TLI

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IS61WV25616FALL-10TLI Виробник : ISSI 61-64wv25616fall_bll.pdf SRAM Chip Async Single 1.8V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
товар відсутній
IS61WV25616FALL-10TLI Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 61-64WV25616FALL_BLL.pdf Description: 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,2
Packaging: Bulk
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2.2V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
товар відсутній