IS61WV25616EFBLL-10BLI ISSI
Виробник: ISSI
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 232.88 грн |
10+ | 206.11 грн |
100+ | 156.74 грн |
250+ | 152.52 грн |
480+ | 151.82 грн |
960+ | 141.27 грн |
2880+ | 137.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS61WV25616EFBLL-10BLI ISSI
Description: 4Mb,High-Speed/Low Power,Async w, Packaging: Bulk, Package / Case: 48-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 10ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 10 ns, Memory Organization: 256K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції IS61WV25616EFBLL-10BLI
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IS61WV25616EFBLL-10BLI | Виробник : ISSI | High Speed Asynchronous CMOS Static RAM |
товар відсутній |
||
IS61WV25616EFBLL-10BLI | Виробник : ISSI | High Speed Asynchronous CMOS Static RAM |
товар відсутній |
||
IS61WV25616EFBLL-10BLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: 4Mb,High-Speed/Low Power,Async w Packaging: Bulk Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |