IS61WV25616EDBLL-8BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Виробник: ISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 8ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 8 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 444.03 грн |
| 10+ | 390.27 грн |
| 25+ | 382.81 грн |
| 40+ | 356.67 грн |
| 80+ | 320.04 грн |
| 230+ | 318.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS61WV25616EDBLL-8BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 48-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 8ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 8 ns, Memory Organization: 256K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції IS61WV25616EDBLL-8BLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS61WV25616EDBLL-8BLI | Виробник : ISSI |
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 8ns 48-Pin TFBGA |
товар відсутній |
|
 |
IS61WV25616EDBLL-8BLI | Виробник : ISSI |
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 8ns 48-Pin TFBGA |
товар відсутній |
|
| IS61WV25616EDBLL-8BLI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 3.3V; 8ns; TFBGA48; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 256kx16bit Access time: 8ns Case: TFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Operating voltage: 3.3V кількість в упаковці: 480 шт |
товар відсутній |
||
 |
IS61WV25616EDBLL-8BLI | Виробник : ISSI |
SRAM 4Mb, 8ns,3.3V 256K x 16 Asyn SRAM |
товар відсутній |
|
| IS61WV25616EDBLL-8BLI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 3.3V; 8ns; TFBGA48; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 256kx16bit Access time: 8ns Case: TFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Operating voltage: 3.3V |
товар відсутній |