IS61WV1288EEBLL-10TLI-TR ISSI
Виробник: ISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 128kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP32 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 10ns
Case: TSOP32 II
Kind of interface: parallel
Memory capacity: 1Mb
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Operating voltage: 2.4...3.6V
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS61WV1288EEBLL-10TLI-TR ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 128kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP32 II; parallel, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory organisation: 128kx8bit, Access time: 10ns, Case: TSOP32 II, Kind of interface: parallel, Memory capacity: 1Mb, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: reel; tape, Operating voltage: 2.4...3.6V, кількість в упаковці: 1000 шт.
Інші пропозиції IS61WV1288EEBLL-10TLI-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS61WV1288EEBLL-10TLI-TR | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II |
товар відсутній |
|
 |
IS61WV1288EEBLL-10TLI-TR | Виробник : ISSI |
SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,128K x 8,10ns/2.4v-3.6v, 32 Pin TSOP II, RoHS |
товар відсутній |
|
| IS61WV1288EEBLL-10TLI-TR | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 128kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP32 II; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 128kx8bit Access time: 10ns Case: TSOP32 II Kind of interface: parallel Memory capacity: 1Mb Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Operating voltage: 2.4...3.6V |
товар відсутній |