Технічний опис IS61WV10248EDBLL-10BLI-TR ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 1Mx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA48, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory: 8Mb SRAM, Memory organisation: 1Mx8bit, Access time: 10ns, Case: TFBGA48, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: reel; tape, Operating voltage: 2.4...3.6V, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції IS61WV10248EDBLL-10BLI-TR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IS61WV10248EDBLL-10BLI-TR | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 1Mx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 1Mx8bit Access time: 10ns Case: TFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Operating voltage: 2.4...3.6V кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||
IS61WV10248EDBLL-10BLI-TR | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA |
товар відсутній |
||
IS61WV10248EDBLL-10BLI-TR | Виробник : ISSI | SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS |
товар відсутній |
||
IS61WV10248EDBLL-10BLI-TR | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 1Mx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 1Mx8bit Access time: 10ns Case: TFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Operating voltage: 2.4...3.6V |
товар відсутній |