Технічний опис IS61VPS51236B-250B3LI ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 512kx36bit; 2.5V; 2.6ns; TFBGA165, Type of integrated circuit: SRAM memory, Case: TFBGA165, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: in-tray; tube, Kind of interface: parallel, Memory: 18Mb SRAM, Operating voltage: 2.5V, Kind of memory: SRAM, Memory organisation: 512kx36bit, Access time: 2.6ns, кількість в упаковці: 144 шт.
Інші пропозиції IS61VPS51236B-250B3LI
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IS61VPS51236B-250B3LI | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 512kx36bit; 2.5V; 2.6ns; TFBGA165 Type of integrated circuit: SRAM memory Case: TFBGA165 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 18Mb SRAM Operating voltage: 2.5V Kind of memory: SRAM Memory organisation: 512kx36bit Access time: 2.6ns кількість в упаковці: 144 шт |
товар відсутній |
||
![]() |
IS61VPS51236B-250B3LI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IS61VPS51236B-250B3LI | Виробник : ISSI |
![]() |
товар відсутній |
|
IS61VPS51236B-250B3LI | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 512kx36bit; 2.5V; 2.6ns; TFBGA165 Type of integrated circuit: SRAM memory Case: TFBGA165 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 18Mb SRAM Operating voltage: 2.5V Kind of memory: SRAM Memory organisation: 512kx36bit Access time: 2.6ns |
товар відсутній |