Технічний опис IS61NLP51218B-200TQLI ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of memory: SRAM, Memory organisation: 512kx18bit, Access time: 3.1ns, Kind of package: in-tray; tube, Kind of interface: parallel, Memory: 9Mb SRAM, Case: QFP100, Operating voltage: 3.3V, Type of integrated circuit: SRAM memory, кількість в упаковці: 72 шт.
Інші пропозиції IS61NLP51218B-200TQLI
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IS61NLP51218B-200TQLI | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of memory: SRAM Memory organisation: 512kx18bit Access time: 3.1ns Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 9Mb SRAM Case: QFP100 Operating voltage: 3.3V Type of integrated circuit: SRAM memory кількість в упаковці: 72 шт |
товар відсутній |
||
![]() |
IS61NLP51218B-200TQLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IS61NLP51218B-200TQLI | Виробник : ISSI |
![]() |
товар відсутній |
|
IS61NLP51218B-200TQLI | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of memory: SRAM Memory organisation: 512kx18bit Access time: 3.1ns Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 9Mb SRAM Case: QFP100 Operating voltage: 3.3V Type of integrated circuit: SRAM memory |
товар відсутній |