Продукція > ISSI > IS61NLP51218A-200TQLI
IS61NLP51218A-200TQLI

IS61NLP51218A-200TQLI ISSI


822334874169218361nlp_nvp25636a_51218a.pdf Виробник: ISSI
SRAM Chip Sync Dual 3.3V 9M-bit 512K x 18 3.1ns 100-Pin TQFP
на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+804.12 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IS61NLP51218A-200TQLI ISSI

Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx8bit; 3.3V; 200ns; TQFP100; parallel, Operating temperature: -40...85°C, Mounting: SMD, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory organisation: 512kx8bit, Access time: 200ns, Kind of package: in-tray; tube, Kind of interface: parallel, Memory: 9Mb SRAM, Case: TQFP100, Operating voltage: 3.3V, кількість в упаковці: 72 шт.

Інші пропозиції IS61NLP51218A-200TQLI за ціною від 834.2 грн до 1187.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IS61NLP51218A-200TQLI IS61NLP51218A-200TQLI Виробник : ISSI 61NLP_NVP25636A_51218A-258474.pdf SRAM 8M (512Kx18) 200MHz Sync SRAM 3.3v
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1187.89 грн
10+ 1084.36 грн
25+ 892.75 грн
72+ 869.75 грн
288+ 857.9 грн
504+ 844.66 грн
1008+ 834.2 грн
IS61NLP51218A-200TQLI IS61NLP51218A-200TQLI Виробник : ISSI IS61NLP25636A-200B3LI.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx8bit; 3.3V; 200ns; TQFP100; parallel
Operating temperature: -40...85°C
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 200ns
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 9Mb SRAM
Case: TQFP100
Operating voltage: 3.3V
кількість в упаковці: 72 шт
товар відсутній
IS61NLP51218A-200TQLI IS61NLP51218A-200TQLI Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP_NVP25636A_51218A.pdf Description: IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
товар відсутній
IS61NLP51218A-200TQLI IS61NLP51218A-200TQLI Виробник : ISSI IS61NLP25636A-200B3LI.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx8bit; 3.3V; 200ns; TQFP100; parallel
Operating temperature: -40...85°C
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 200ns
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 9Mb SRAM
Case: TQFP100
Operating voltage: 3.3V
товар відсутній