![IS61NLP51218A-200TQLI IS61NLP51218A-200TQLI](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/6/26/15/54/31/322505/iss_/manual/qfp50p1600x1600x120-100l30_alt_n.step.jpg)
IS61NLP51218A-200TQLI ISSI
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 804.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS61NLP51218A-200TQLI ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx8bit; 3.3V; 200ns; TQFP100; parallel, Operating temperature: -40...85°C, Mounting: SMD, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory organisation: 512kx8bit, Access time: 200ns, Kind of package: in-tray; tube, Kind of interface: parallel, Memory: 9Mb SRAM, Case: TQFP100, Operating voltage: 3.3V, кількість в упаковці: 72 шт.
Інші пропозиції IS61NLP51218A-200TQLI за ціною від 834.2 грн до 1187.89 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IS61NLP51218A-200TQLI | Виробник : ISSI |
![]() |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IS61NLP51218A-200TQLI | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx8bit; 3.3V; 200ns; TQFP100; parallel Operating temperature: -40...85°C Mounting: SMD Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 512kx8bit Access time: 200ns Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 9Mb SRAM Case: TQFP100 Operating voltage: 3.3V кількість в упаковці: 72 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IS61NLP51218A-200TQLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IS61NLP51218A-200TQLI | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx8bit; 3.3V; 200ns; TQFP100; parallel Operating temperature: -40...85°C Mounting: SMD Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 512kx8bit Access time: 200ns Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 9Mb SRAM Case: TQFP100 Operating voltage: 3.3V |
товар відсутній |