IS61NLP25636B-200B3LI ISSI
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1113.56 грн |
| 10+ | 1016.02 грн |
| 25+ | 872.25 грн |
| 100+ | 742.22 грн |
| 288+ | 730.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS61NLP25636B-200B3LI ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TFBGA165, Type of integrated circuit: SRAM memory, Case: TFBGA165, Mounting: SMD, Kind of package: in-tray; tube, Operating temperature: -40...85°C, Operating voltage: 3.3V, Kind of memory: SRAM, Memory organisation: 256kx36bit, Access time: 3.1ns, Kind of interface: parallel, Memory: 9Mb SRAM, кількість в упаковці: 144 шт.
Інші пропозиції IS61NLP25636B-200B3LI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS61NLP25636B-200B3LI | Виробник : ISSI |
 9Mb, Pipeline State Bus SRAM |
товар відсутній |
|
| IS61NLP25636B-200B3LI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TFBGA165 Type of integrated circuit: SRAM memory Case: TFBGA165 Mounting: SMD Kind of package: in-tray; tube Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 3.3V Kind of memory: SRAM Memory organisation: 256kx36bit Access time: 3.1ns Kind of interface: parallel Memory: 9Mb SRAM кількість в упаковці: 144 шт |
товар відсутній |
||
| IS61NLP25636B-200B3LI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TFBGA165 Type of integrated circuit: SRAM memory Case: TFBGA165 Mounting: SMD Kind of package: in-tray; tube Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 3.3V Kind of memory: SRAM Memory organisation: 256kx36bit Access time: 3.1ns Kind of interface: parallel Memory: 9Mb SRAM |
товар відсутній |