Технічний опис IS61NLP25636B-200B3LI-TR ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TFBGA165, Type of integrated circuit: SRAM memory, Case: TFBGA165, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Operating temperature: -40...85°C, Operating voltage: 3.3V, Kind of memory: SRAM, Memory organisation: 256kx36bit, Access time: 3.1ns, Kind of interface: parallel, Memory: 9Mb SRAM, кількість в упаковці: 2000 шт.
Інші пропозиції IS61NLP25636B-200B3LI-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IS61NLP25636B-200B3LI-TR | Виробник : ISSI |
 Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TFBGA165 Type of integrated circuit: SRAM memory Case: TFBGA165 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 3.3V Kind of memory: SRAM Memory organisation: 256kx36bit Access time: 3.1ns Kind of interface: parallel Memory: 9Mb SRAM кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
||
| IS61NLP25636B-200B3LI-TR | Виробник : ISSI |
SRAM 8Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,256K x 36,200Mhz,3.3v I/O, 165 Ball BGA, RoHS |
товар відсутній |
||
| IS61NLP25636B-200B3LI-TR | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TFBGA165 Type of integrated circuit: SRAM memory Case: TFBGA165 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 3.3V Kind of memory: SRAM Memory organisation: 256kx36bit Access time: 3.1ns Kind of interface: parallel Memory: 9Mb SRAM |
товар відсутній |