Продукція > ISSI > IS61NLP25636A-200TQLI
IS61NLP25636A-200TQLI

IS61NLP25636A-200TQLI ISSI


822334874169218361nlp_nvp25636a_51218a.pdf Виробник: ISSI
SRAM Chip Sync Quad 3.3V 9M-bit 256K x 36 3.1ns 100-Pin TQFP
на замовлення 144 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
72+819.18 грн
Мінімальне замовлення: 72
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IS61NLP25636A-200TQLI ISSI

Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 200ns; TQFP100, Type of integrated circuit: SRAM memory, Case: TQFP100, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: in-tray; tube, Kind of memory: SRAM, Memory organisation: 256kx36bit, Access time: 200ns, Kind of interface: parallel, Memory: 9Mb SRAM, Operating voltage: 3.3V, кількість в упаковці: 72 шт.

Інші пропозиції IS61NLP25636A-200TQLI за ціною від 842.96 грн до 842.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IS61NLP25636A-200TQLI IS61NLP25636A-200TQLI Виробник : ISSI 61NLP_NVP25636A_51218A-258474.pdf SRAM 8Mb 256Kx36 200Mhz Sync SRAM 3.3v
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+842.96 грн
IS61NLP25636A-200TQLI IS61NLP25636A-200TQLI Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP_NVP25636A_51218A.pdf Description: IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IS61NLP25636A-200TQLI IS61NLP25636A-200TQLI Виробник : ISSI IS61NLP25636A-200B3LI.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 200ns; TQFP100
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: TQFP100
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray; tube
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx36bit
Access time: 200ns
Kind of interface: parallel
Memory: 9Mb SRAM
Operating voltage: 3.3V
кількість в упаковці: 72 шт
товар відсутній
IS61NLP25636A-200TQLI IS61NLP25636A-200TQLI Виробник : ISSI IS61NLP25636A-200B3LI.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 200ns; TQFP100
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: TQFP100
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray; tube
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx36bit
Access time: 200ns
Kind of interface: parallel
Memory: 9Mb SRAM
Operating voltage: 3.3V
товар відсутній