IS61NLP25636A-200B3LI ISSI
Виробник: ISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 200ns; PBGA165
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: PBGA165
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray; tube
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx36bit
Access time: 200ns
Kind of interface: parallel
Memory: 9Mb SRAM
Operating voltage: 3.3V
кількість в упаковці: 144 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS61NLP25636A-200B3LI ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 200ns; PBGA165, Type of integrated circuit: SRAM memory, Case: PBGA165, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: in-tray; tube, Kind of memory: SRAM, Memory organisation: 256kx36bit, Access time: 200ns, Kind of interface: parallel, Memory: 9Mb SRAM, Operating voltage: 3.3V, кількість в упаковці: 144 шт.
Інші пропозиції IS61NLP25636A-200B3LI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
/165-TBGA.jpg "IS61NLP25636A-200B3LI") |
IS61NLP25636A-200B3LI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC SRAM 9MBIT 200MHZ 165BGA |
товар відсутній |
|
 |
IS61NLP25636A-200B3LI | Виробник : ISSI |
SRAM 8M (256Kx36) 200MHz Sync SRAM 3.3v |
товар відсутній |
|
| IS61NLP25636A-200B3LI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 200ns; PBGA165 Type of integrated circuit: SRAM memory Case: PBGA165 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Kind of memory: SRAM Memory organisation: 256kx36bit Access time: 200ns Kind of interface: parallel Memory: 9Mb SRAM Operating voltage: 3.3V |
товар відсутній |