Технічний опис IS61NLP12836EC-200B3LI ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 128kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TFBGA165, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: in-tray; tube, Case: TFBGA165, Mounting: SMD, Kind of memory: SRAM, Memory organisation: 128kx36bit, Access time: 3.1ns, Kind of interface: parallel, Memory: 4.5Mb SRAM, Operating voltage: 3.3V, Type of integrated circuit: SRAM memory, кількість в упаковці: 144 шт.
Інші пропозиції IS61NLP12836EC-200B3LI
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IS61NLP12836EC-200B3LI | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 128kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TFBGA165 Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Case: TFBGA165 Mounting: SMD Kind of memory: SRAM Memory organisation: 128kx36bit Access time: 3.1ns Kind of interface: parallel Memory: 4.5Mb SRAM Operating voltage: 3.3V Type of integrated circuit: SRAM memory кількість в упаковці: 144 шт |
товар відсутній |
||
![]() |
IS61NLP12836EC-200B3LI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IS61NLP12836EC-200B3LI | Виробник : ISSI |
![]() |
товар відсутній |
|
IS61NLP12836EC-200B3LI | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 128kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TFBGA165 Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Case: TFBGA165 Mounting: SMD Kind of memory: SRAM Memory organisation: 128kx36bit Access time: 3.1ns Kind of interface: parallel Memory: 4.5Mb SRAM Operating voltage: 3.3V Type of integrated circuit: SRAM memory |
товар відсутній |