Технічний опис IS61NLP12836B-200TQLI ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 128kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TQFP100, Type of integrated circuit: SRAM memory, Case: TQFP100, Mounting: SMD, Kind of package: in-tray; tube, Operating temperature: -40...85°C, Operating voltage: 3.3V, Kind of memory: SRAM, Memory organisation: 128kx36bit, Access time: 3.1ns, Kind of interface: parallel, Memory: 4.5Mb SRAM, кількість в упаковці: 72 шт.
Інші пропозиції IS61NLP12836B-200TQLI
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IS61NLP12836B-200TQLI | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 128kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TQFP100 Type of integrated circuit: SRAM memory Case: TQFP100 Mounting: SMD Kind of package: in-tray; tube Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 3.3V Kind of memory: SRAM Memory organisation: 128kx36bit Access time: 3.1ns Kind of interface: parallel Memory: 4.5Mb SRAM кількість в упаковці: 72 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
IS61NLP12836B-200TQLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IS61NLP12836B-200TQLI | Виробник : ISSI |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IS61NLP12836B-200TQLI | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 128kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TQFP100 Type of integrated circuit: SRAM memory Case: TQFP100 Mounting: SMD Kind of package: in-tray; tube Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 3.3V Kind of memory: SRAM Memory organisation: 128kx36bit Access time: 3.1ns Kind of interface: parallel Memory: 4.5Mb SRAM |
товар відсутній |