IS61NLP102418B-250B3LI ISSI
![IS61NLP102418B-200B3L.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; 3.3V; 2.6ns; TFBGA165
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 18Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx18bit
Access time: 2.6ns
Case: TFBGA165
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray; tube
Operating voltage: 3.3V
кількість в упаковці: 144 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS61NLP102418B-250B3LI ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; 3.3V; 2.6ns; TFBGA165, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory: 18Mb SRAM, Memory organisation: 1Mx18bit, Access time: 2.6ns, Case: TFBGA165, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: in-tray; tube, Operating voltage: 3.3V, кількість в упаковці: 144 шт.
Інші пропозиції IS61NLP102418B-250B3LI
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IS61NLP102418B-250B3LI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IS61NLP102418B-250B3LI | Виробник : ISSI |
![]() |
товар відсутній |
|
IS61NLP102418B-250B3LI | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; 3.3V; 2.6ns; TFBGA165 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 18Mb SRAM Memory organisation: 1Mx18bit Access time: 2.6ns Case: TFBGA165 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Operating voltage: 3.3V |
товар відсутній |