Технічний опис IS61NLP102418B-200B3L ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; 3.3V; 3ns; TFBGA165; parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: 0...70°C, Memory: 18Mb SRAM, Kind of package: in-tray; tube, Kind of interface: parallel, Case: TFBGA165, Operating voltage: 3.3V, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory organisation: 1Mx18bit, Access time: 3ns, кількість в упаковці: 144 шт.
Інші пропозиції IS61NLP102418B-200B3L
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IS61NLP102418B-200B3L | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; 3.3V; 3ns; TFBGA165; parallel Mounting: SMD Operating temperature: 0...70°C Memory: 18Mb SRAM Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Case: TFBGA165 Operating voltage: 3.3V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 1Mx18bit Access time: 3ns кількість в упаковці: 144 шт |
товар відсутній |
||
![]() |
IS61NLP102418B-200B3L | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IS61NLP102418B-200B3L | Виробник : ISSI |
![]() |
товар відсутній |
|
IS61NLP102418B-200B3L | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; 3.3V; 3ns; TFBGA165; parallel Mounting: SMD Operating temperature: 0...70°C Memory: 18Mb SRAM Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Case: TFBGA165 Operating voltage: 3.3V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 1Mx18bit Access time: 3ns |
товар відсутній |