IS61NLF51218B-7.5TQLI ISSI
Виробник: ISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 9Mb SRAM
Memory organisation: 512kx18bit
Access time: 7.5ns
Case: QFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray; tube
Operating voltage: 3.3V
кількість в упаковці: 72 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS61NLF51218B-7.5TQLI ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100; parallel, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory: 9Mb SRAM, Memory organisation: 512kx18bit, Access time: 7.5ns, Case: QFP100, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: in-tray; tube, Operating voltage: 3.3V, кількість в упаковці: 72 шт.
Інші пропозиції IS61NLF51218B-7.5TQLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS61NLF51218B-7.5TQLI | Виробник : ISSI |
SRAM 8Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync,512K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS |
товар відсутній |
|
| IS61NLF51218B-7.5TQLI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 9Mb SRAM Memory organisation: 512kx18bit Access time: 7.5ns Case: QFP100 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Operating voltage: 3.3V |
товар відсутній |