Технічний опис IS61LPS204836B-166TQLI ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; 3.3V; 3.8ns; TQFP100; parallel, Kind of package: in-tray; tube, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory organisation: 2Mx36bit, Access time: 3.8ns, Kind of interface: parallel, Memory: 72Mb SRAM, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Case: TQFP100, Operating voltage: 3.3V, кількість в упаковці: 72 шт.
Інші пропозиції IS61LPS204836B-166TQLI
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IS61LPS204836B-166TQLI | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; 3.3V; 3.8ns; TQFP100; parallel Kind of package: in-tray; tube Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 2Mx36bit Access time: 3.8ns Kind of interface: parallel Memory: 72Mb SRAM Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Case: TQFP100 Operating voltage: 3.3V кількість в упаковці: 72 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
IS61LPS204836B-166TQLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IS61LPS204836B-166TQLI | Виробник : ISSI |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IS61LPS204836B-166TQLI | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; 3.3V; 3.8ns; TQFP100; parallel Kind of package: in-tray; tube Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 2Mx36bit Access time: 3.8ns Kind of interface: parallel Memory: 72Mb SRAM Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Case: TQFP100 Operating voltage: 3.3V |
товар відсутній |