IS61LF51236B-7.5B3LI ISSI
Виробник: ISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 512kx36bit; 3.3V; 7.5ns; TFBGA165
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: TFBGA165
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 18Mb SRAM
Operating voltage: 3.3V
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 512kx36bit
Access time: 7.5ns
кількість в упаковці: 144 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS61LF51236B-7.5B3LI ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 512kx36bit; 3.3V; 7.5ns; TFBGA165, Type of integrated circuit: SRAM memory, Case: TFBGA165, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: in-tray; tube, Kind of interface: parallel, Memory: 18Mb SRAM, Operating voltage: 3.3V, Kind of memory: SRAM, Memory organisation: 512kx36bit, Access time: 7.5ns, кількість в упаковці: 144 шт.
Інші пропозиції IS61LF51236B-7.5B3LI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS61LF51236B-7.5B3LI | Виробник : ISSI |
SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,512K x 36,6.5ns,3.3v or 2.5V I/O, 165 Ball BGA, RoHS |
товар відсутній |
|
| IS61LF51236B-7.5B3LI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 512kx36bit; 3.3V; 7.5ns; TFBGA165 Type of integrated circuit: SRAM memory Case: TFBGA165 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 18Mb SRAM Operating voltage: 3.3V Kind of memory: SRAM Memory organisation: 512kx36bit Access time: 7.5ns |
товар відсутній |