IS61LF25636B-7.5TQLI ISSI
Виробник: ISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100; parallel
Operating temperature: -40...85°C
Mounting: SMD
Operating voltage: 3.3V
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 9Mb SRAM
Case: QFP100
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx36bit
Access time: 7.5ns
кількість в упаковці: 72 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS61LF25636B-7.5TQLI ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100; parallel, Operating temperature: -40...85°C, Mounting: SMD, Operating voltage: 3.3V, Kind of package: in-tray; tube, Kind of interface: parallel, Memory: 9Mb SRAM, Case: QFP100, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory organisation: 256kx36bit, Access time: 7.5ns, кількість в упаковці: 72 шт.
Інші пропозиції IS61LF25636B-7.5TQLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
%20Renders/706;-100LQFP-1.6-14x20;-;-100.jpg "IS61LF25636B-7.5TQLI") |
IS61LF25636B-7.5TQLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100LQFP |
товар відсутній |
|
 |
IS61LF25636B-7.5TQLI | Виробник : ISSI |
SRAM 8Mb,Flow-Through,Sync,256K x 36,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS |
товар відсутній |
|
| IS61LF25636B-7.5TQLI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100; parallel Operating temperature: -40...85°C Mounting: SMD Operating voltage: 3.3V Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 9Mb SRAM Case: QFP100 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 256kx36bit Access time: 7.5ns |
товар відсутній |